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產(chǎn)品圖片
DKDP開(kāi)關(guān)
       磷酸二氘鉀DKDP（KD*P）晶體光學(xué)損耗低，消光比高，電光性能好，通常利用DKDP晶體的縱向效應(yīng)制成電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)，主要適用于低重復(fù)頻率的脈沖固體激光器中。（包括：美容，?醫(yī)療，科研，軍事和航天等激光領(lǐng)域。）
  • 詳情介紹
  • 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品
  • 基本性質(zhì)

  • 山東辰晶光電致力于高質(zhì)量電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)的研發(fā)與生產(chǎn)，可根據(jù)客戶不同需求定制開(kāi)關(guān)，如高低溫環(huán)境下應(yīng)用的溫控調(diào)Q開(kāi)關(guān)等。


    山東辰晶光電DKDP系列開(kāi)關(guān)的產(chǎn)品特點(diǎn)：


        ● 高含氘量：＞98%

        ● 高消光比 ：5000:1

        ● 低電容 ：3-5pF

        ● 高透過(guò)率：＞99%

        ● 高損傷閾值：500MW/cm2

        ● 設(shè)計(jì)緊湊，便于調(diào)節(jié)

        ● 良好的密封，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)的工作壽命


  • 山東辰晶光電科技有限公司電光開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)型號(hào):


    型號(hào)

    外殼尺寸公差

    (0~-0.1)×(±0.3mm)

    通光孔徑

    T%

    消光比

    1/4波電壓

    波前畸變

    電容

    QI-8Ga

    Ф19×24

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8Gb

    Ф19×24.7

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8Gc

    Ф19×27.2

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QI-8GPa

    Ф20×29

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QT-8GPa

    Ф28×30

    8

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    QL-10DPa

    Ф32×40

    10

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QL-10DPb

    Ф25×37

    10

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Ga

    Ф25.4×32

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Gb

    Ф21×28.2

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10Gc

    Ф25.4×33

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-10GPa

    Ф25.4×39

    10

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QL-11Da

    Ф32×35

    11

    >98%

    >5000:1

    3400V+/-100V

    <λ/8

    ＜5pF

    QI-12GPa

    Ф28×33

    12

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜6.5pF

    QT-12GPa

    Ф32.5×50

    12

    >98%

    >5000:1

    3200V+/-100V

    <λ/8

    ＜4.5pF

    抗損閾值：》500MW/cm2，10ns，10Hz @1064nm   

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